問題詳情

⑶對於 PECVD 製程中,以矽烷作為沉積氧化矽之氣體源,當增加矽烷流量時,氧化矽薄膜之折射率會增加還是減少?原因為何?但若是以 TEOS 作為沉積氧化矽之氣體源,為什麼當 TEOS 流量增加時,折射率幾乎沒有變化?(10 分)

參考答案

答案:B
難度:適中0.564702
統計:A(91),B(1811),C(113),D(751),E(0) #
個人:尚未作答書單:ch0-林清《行政法》標題目錄(2013)

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