問題詳情
5 下列有關場效應電晶體的敘述，何者正確？
(A)當閘極電壓超過臨限電壓（threshold voltage），在 p 通道增強型（enhancement type）場效應電晶體中會產生一電洞反轉層（inversion layer）
(B) p 通道接面場效應電晶體（JFET），閘極是 p 型材料所製成
(C)要使 p 通道增強型場效應電晶體導通，所加在閘極的電壓必需是正的而且要大於臨限電壓
(D)當 VGS＝0 時，p 通道接面場效應電晶體是不導通的
(A)當閘極電壓超過臨限電壓（threshold voltage），在 p 通道增強型（enhancement type）場效應電晶體中會產生一電洞反轉層（inversion layer）
(B) p 通道接面場效應電晶體（JFET），閘極是 p 型材料所製成
(C)要使 p 通道增強型場效應電晶體導通，所加在閘極的電壓必需是正的而且要大於臨限電壓
(D)當 VGS＝0 時，p 通道接面場效應電晶體是不導通的
參考答案
答案：A
難度：適中0.512821
統計：A(20),B(4),C(1),D(5),E(0)
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