問題詳情
二、在積體電路後段製程（Backend Process）中：
⑴請說明使用TEOS（Tetraethoxysilane, Si(OC2H5)4 ）來製作金屬層間氧化絕緣層SiO2（Inter-Layer Dielectric, ILD），有何優缺點？（10 分）
⑴請說明使用TEOS（Tetraethoxysilane, Si(OC2H5)4 ）來製作金屬層間氧化絕緣層SiO2（Inter-Layer Dielectric, ILD），有何優缺點？（10 分）
參考答案
答案：D
難度：簡單0.882892
統計：A(103),B(148),C(106),D(2699),E(1)
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