問題詳情
⑵請說明 III-V 化合物半導體活性離子蝕刻（Reactive Ion Etching）結果跟那些製程參數有關。（10 分）
參考答案
答案：C
難度：簡單0.854977
統計：A(190),B(71),C(3496),D(332),E(0) #
個人：尚未作答書單：行為科學與後行為科學
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