問題詳情
⑵現今發展一種所謂的矽鍺（SiGe）異質雙極性接面電晶體（Heterojunction BipolarTransistor，HBT），請說明這種元件的射極、基極與集極材料分別為何？比較傳統的雙極性接面電晶體，這種元件可以提供什麼優點？並說明原因。（每小題 10 分，共 20 分）
參考答案
答案：A
難度：簡單0.705653
統計：A(2896),B(599),C(76),D(82),E(0) #
個人：尚未作答書單：有效激勵管理之方法、動態管理學派代表學者-傅麗德(M. P. Follet)、傳統理論原則、缺失及學派
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