問題詳情

⑵在製作矽元件或矽積體電路時,我們常用氮化矽(Silicon Nitride,Si3N4)作為絕緣層或披覆層(Passivation Layer),如果要以氮化矽作為絕緣層與披覆層,應該分別使用何種技術成長?請說明原因。(每小題 10 分,共 20 分)

參考答案

答案:D
難度:簡單0.783981
統計:A(152),B(99),C(161),D(3230),E(0) #
個人:尚未作答書單:資訊管理

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