問題詳情
⑵假設每一個原子為一個硬球體且表面與相鄰原子的表面緊密相接，試求在面心立方晶格（fcc）中，單胞中被原子占據的體積比例。（8 分）
參考答案
答案：D
難度：簡單0.846608
統計：A(23),B(12),C(9),D(574),E(0) #
個人：尚未作答書單：Pedagogy、考古題過的單字、英語教學法
內容推薦
- 18 若系統之轉移函數為 ，下列敘述何者正確？(A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器(C)此為帶通濾波器 (D)此為帶拒濾波器
- 如下圖中之阿拉伯數字係表示木質板的(A)厚度(B)長度(C)密度(D)中間夾層材厚度。
- 六、甲基第三丁基醚（methyl tert-butyl ether，簡稱 MTBE）為重要的汽油添加劑，試寫出其結構式及產製原料，MTBE 的那些特性使它成為優良的汽油添加劑？（10 分）
- 如下圖所示，一圓弧面中心點 X1=0，Z1=-0，R1=7，與另一圓弧面中心點 X2=32，Z2=12，R2=16，其相切處為 (A)X3=62，Z3=0.52(B
- 五、請比較矽（Si）晶圓及砷化鎵（GaAs）晶圓用來製作積體電路晶片（IC chip）之優缺點。（20 分）
- 十二、 請敘述何謂 GBIC、SFP、乙太網路(RJ45)光電轉換器，以及這三者的特性及應用？(6%)
- 如下圖所示電路，若 Vo(sat)=±12V，則此電路的上限電壓Ｖut、及下限電壓Ｖet 為 (A)±1V(B)±4V(C)±9V(D)±12V。
- ⑵水氣轉移反應（water-gas shift reaction）（5 分）
- 八、甲醛（formaldehyde）可由甲醇（methanol）氧化生成，今以甲醇及氧為進料，其流速分別為 100 mol/min 及 50 mol/min，溫度為 100℃，設反應轉化率為 100%
- 四、目前業界製作發光二極體（Light emitting diode, LED）或雷射二極體（Laser diode, LD）元件，最常用的磊晶方法為有機金屬化學氣相沉積法（Metal Organic
內容推薦
- ⑵空氣污染物之空氣品質標準「二十四小時值」
- 0 （ ） 目前臺灣證券交易所主要撮合之方式為：(A) 電腦撮合 (B) 人工撮合 (C) 半自動撮合 (D) 選項(A)、(B)、(C)皆非
- 32 下列有關蕭基二極體（Schottky Diode）與 pn 接面二極體的比較，何者正確？(A)蕭基二極體可用於較高速的電路中(B)蕭基二極體有較大的切入電壓（Cut-in Voltage）(C)
- 二、⑴考慮T=300 K摻雜鎵原子（Ga）2 × 1016 atoms/cm3於純矽晶體中，若本質濃度ni＝5 × 1010/cm3，則決定摻雜後之材料為n型或p型及電子濃度（n）、電洞濃度（p）
- 二、求 ∫∫D xdxdy , D =（15 分）
- ⑵Claus process（5 分）
- 33 矽晶二極體空乏區中的 n 型區域帶何種電性？(A)負電性 (B)電中性 (C)正電性 (D)正、負電荷共存
- ⑵考慮矽在T＝300 K且施體濃度Nd＝1017/cmNa＝0，若Nc＝8 × 1019/cmNv ＝04 × 1019/cm3，則計算此摻雜濃度時費米能階相對於本質費米能階的位置。（
- ⑷懸浮微粒
- 1某三角形 ABC，觀測數據如下：(a) 方向角為 N30°E(b) 偏角值 R130°(c) 偏角值 L110°(d) 方向為正東(e) =100.00m。則下列敘述哪些正確？(A)∠ACB
- 二、試以化學反應式表示硫酸及硝酸的工業製造法。（10 分）
- 左圖符號代表(A)人孔(B)手孔(C)電桿(D)拉線。
- 三、⑴試述 pn 接面在交流小訊號情況下之等效電路，並推導公式之由來。（7 分）
- 二、使用「高斯擴散模式」預測由煙囪排放之煙柱，擴散至其下風區適當距離之空氣污染物濃度時，必須知道的參數之一為「有效煙囪高度」；請解釋「有效煙囪高度」之意義，（10 分）並請說明：除了煙囪高度外，影響「
- 三、煉鐵高爐中有那些重要的化學反應？試寫出其反應式。（10 分）
- 34 將一峰值Vm = 10 伏特之正弦波輸入圖示之半波整流電路，若不計二極體之導通電壓，則輸出之直流電壓為： (A) 18 伏特(B) R vo 5 伏特 Vm(C) 6 伏特(D) 36
- ⑵試述 pn 接面之兩種接面崩潰（junction breakdown）機制，並以能帶圖說明之。（8 分）
- 三、以煤炭做為燃料之發電廠，其氮氧化物（NOX）的生成機制可分為那兩大項目？請詳細解釋之。（10 分）鹼性洗滌法可有效降低硫氧化物（SOX）的排放，請說明其無法有效降低氮氧化物（NOX）排放濃度的主要
- 三、有一 n 通道增強型（enhancement type）MOSFET，其 iD-VDS 特性曲線，當電晶體工作於飽和區（Saturation region）時，其 iD仍隨VDS 增加而增加。請
- 1有關 LCR 串聯諧振電路中，下列敘述哪一個不正確？(A)諧振頻率與電感有關(B)諧振頻率與電容有關(C)諧振頻率與電阻有關(D)容抗與感抗相同。
- 1下圖電路為一個電壓調整器，調整後的 Vo 輸出電壓為下列何者？ (A)5V(B)5V(C)15V(D)25V。
- 四、假設空氣中最初之微粒密度（單一粒徑）為 1011及 105顆微粒/立方公分，且所有微粒遵循下列之二階（second order）混凝公式：dn/dt = -(10-10立方公分/秒) n2上式中：
- (2)請說明此效應之原理。（6 分）
- 1一個三級放大電路中，各級放大增益分別為 40，則電壓總增益為下列何者？(A)90(B)1800(C)2400(D)24000。
- 一個二極體的直流工作電流為 Id，則在常溫下，此二極體對交流小信號而言所呈現的交流動態電阻 r 約為(A)25mv/Id(B)25mv×Id(C)Id/25mv(D)25mv(Id+1)。