問題詳情
⑵試述 pn 接面之兩種接面崩潰（junction breakdown）機制，並以能帶圖說明之。（8 分）
參考答案
答案：A
難度：困難0.312057
統計：A(44),B(49),C(19),D(10),E(0) #
個人：尚未作答書單：Pedagogy、Order of Adjective
內容推薦
- 三、煉鐵高爐中有那些重要的化學反應？試寫出其反應式。（10 分）
- 二、使用「高斯擴散模式」預測由煙囪排放之煙柱，擴散至其下風區適當距離之空氣污染物濃度時，必須知道的參數之一為「有效煙囪高度」；請解釋「有效煙囪高度」之意義，（10 分）並請說明：除了煙囪高度外，影響「
- 三、⑴試述 pn 接面在交流小訊號情況下之等效電路，並推導公式之由來。（7 分）
- 左圖符號代表(A)人孔(B)手孔(C)電桿(D)拉線。
- 二、試以化學反應式表示硫酸及硝酸的工業製造法。（10 分）
- 1某三角形 ABC，觀測數據如下：(a) 方向角為 N30°E(b) 偏角值 R130°(c) 偏角值 L110°(d) 方向為正東(e) =100.00m。則下列敘述哪些正確？(A)∠ACB
- ⑷懸浮微粒
- ⑵考慮矽在T＝300 K且施體濃度Nd＝1017/cmNa＝0，若Nc＝8 × 1019/cmNv ＝04 × 1019/cm3，則計算此摻雜濃度時費米能階相對於本質費米能階的位置。（
- 33 矽晶二極體空乏區中的 n 型區域帶何種電性？(A)負電性 (B)電中性 (C)正電性 (D)正、負電荷共存
- ⑵Claus process（5 分）
內容推薦
- 三、有一 n 通道增強型（enhancement type）MOSFET，其 iD-VDS 特性曲線，當電晶體工作於飽和區（Saturation region）時，其 iD仍隨VDS 增加而增加。請
- 1有關 LCR 串聯諧振電路中，下列敘述哪一個不正確？(A)諧振頻率與電感有關(B)諧振頻率與電容有關(C)諧振頻率與電阻有關(D)容抗與感抗相同。
- 1下圖電路為一個電壓調整器，調整後的 Vo 輸出電壓為下列何者？ (A)5V(B)5V(C)15V(D)25V。
- 四、假設空氣中最初之微粒密度（單一粒徑）為 1011及 105顆微粒/立方公分，且所有微粒遵循下列之二階（second order）混凝公式：dn/dt = -(10-10立方公分/秒) n2上式中：
- (2)請說明此效應之原理。（6 分）
- 1一個三級放大電路中，各級放大增益分別為 40，則電壓總增益為下列何者？(A)90(B)1800(C)2400(D)24000。
- 一個二極體的直流工作電流為 Id，則在常溫下，此二極體對交流小信號而言所呈現的交流動態電阻 r 約為(A)25mv/Id(B)25mv×Id(C)Id/25mv(D)25mv(Id+1)。
- 五、⑴未經加權之三個噪音量 80 dB、70 dB 及 60 dB，同時由一件「無加權之音能量測儀器」感測到，請計算此三個噪音量之結合總噪音值（應列出計算過程）。（10 分）
- 在光電效應中，欲增加所放射出光電子的動能，則需增大下列何種因素？(A)入射光的頻率(B)入射光的強度(C)光電作用的表面積(D)光電材料的功函數。
- ⑵模擬人耳對「航空器噪音」反應的是那一種噪音加權？（5 分）
- 一、中央法規標準法關於「法律」與地方制度法關於「自治條例」之規範設計，在「名稱」、「規範事項」及「制定程序」三方面，規定內容是否相同？（30 分）
- ⑵在金屬-氧化層-半導體場效應電晶體（ Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，MOSFET）中有所謂的夾止（Pinch-off）現象，請說明
- ⑵反應需採用高溫的理由為何？（3 分）
- 四、如圖所示，在T＝300 K時，給予一組參數，若xB << LB，xE << LE，試計算一個npn雙極性電晶體的共射極電流增益 γ 、 αT 、 δ 值。（15 分）DE
- ⑶光檢測器（Photodetector）和太陽電池（Solar cell）都是二極體經照光後可將光能轉換為電能的元件，試畫出光檢測器和太陽電池在照光前後的電流對電壓（Current-voltage，I
- 七、茲將含 40 mol%正戊烷（n-pentane）及 60 mol%正己烷（n-hexane）的液體混合物連續注入 250℉及 80 psia 的閃餾分離器（flash separator）中，已
- ⑶蒸汽在此反應中的功能為何？（4 分）
- 23 有一橫列位址解碼電路如下圖所示，圖中顯示輸出信號線WN所對應的交換電路陣列（SwitchingArray）的細部電路連線，CLKPVDDCLKPWN-1VDDCLKPWNGNDA2A2 A1 A
- 五、對於一本質（Intrinsic）的矽半導體，進行淺層摻雜（Shallow doping）主要有擴散與離子佈植兩種技術。⑴請說明這兩種技術所得到的濃度對深度的分布（Depth profile
- （３）美國和菲律賓昨天在菲律賓北部開始實施大規模聯合軍演習。美軍和菲軍分別有 2500 人和 3000 人參加此次演習，規模創歷史之最。此次演習也是兩國於上個月簽署《菲美共同防禦協定》（EDCA）允許
- ⑵塔頂氣體及塔底液體的莫耳百分比組成。（10 分）
- 三、聚酯纖維（polyester fiber）是現今產量最大的合成纖維，TPA（terephthalic acid）則為生產聚酯纖維的原料之一。⑴試寫出 TPA 分子的結構式。（4 分）
- 依中華民國國家標準 CNS 規定，在給排水等設備圖中， 代表(A)氧氣管(B)冷水管(C)蒸汽管(D)熱水管。
- ⑵通常在離子佈植過程中有所謂的通道效應（Channeling effect），通道效應是什麼？對元件特性有什麼影響？（15 分）
- 一、名詞解釋與簡答：⑴垃圾樣品灰分與可燃分之檢測方法（5 分）