問題詳情
三、有一 n 通道增強型（enhancement type）MOSFET，其 iD-VDS 特性曲線，當電晶體工作於飽和區（Saturation region）時，其 iD仍隨VDS 增加而增加。請問：
(1)iD 仍隨 VDS增加而增加，其主要原因是什麼效應產生的？（6 分）
(1)iD 仍隨 VDS增加而增加，其主要原因是什麼效應產生的？（6 分）
參考答案
答案：B
難度：簡單0.769668
統計：A(261),B(949),C(19),D(4),E(0)
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