問題詳情

二、⑴考慮T=300 K摻雜鎵原子(Ga)2 × 1016 atoms/cm3於純矽晶體中,若本質濃度ni=1.5 × 1010/cm3,則決定摻雜後之材料為n型或p型及電子濃度(n)、電洞濃度(p)。(8 分)

參考答案

答案:D
難度:非常簡單0.903268
統計:A(22),B(22),C(30),D(691),E(0) #
個人:尚未作答書單:英語教學法

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