四、假設有一 n-channel Si MESFET，n-channel 的 doping 為 Nd = 1 × 1015 cm-3 ，channel 的厚度為 0.6 µm，求出內建電壓（built-in voltage）Vbi 及臨限電壓（threshold voltage）VT。 q = 1.6 × 10  −19C，Vt = kT/q = 0.0259 V，Metal 的功函數 qΦm = 4.75 eV，Si 的電子親和力  （electron affinity）qX = 4.05 eV，傳導帶電子的有效狀態密度 Nc = 2.84 × 1019 cm-3 ，   矽的本質濃度 ni = 1.0 × 10 cm-3 ，矽的介電係數 = 11.7 × 8.85 × 10 F−14/cm。（20 分）