問題詳情
三、在金屬/氧化層/p型矽（MOS）元件中，已知氧化層SiO2厚度為 5 nm，其介電係數ϵSiO2 = 3.9 ϵo，其中ϵo = 8.85×10 -14 F/cm，矽之介電係數ϵsi = 11.7 ϵo，當加上負偏壓使 該元件處於聚集區（accumulation region），氧化層之壓降為Vox = -2 V。
⑴繪出該偏壓下 MOS 元件之能帶示意圖（energy band diagram）。（6 分）
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參考答案
無參考答案
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