問題詳情
五、在半導體製程中使用局部矽氧化（local oxidation of silicon - LOCOS）技術來做隔絕用，請說明該製程步驟流程，並繪出SiO2形成後之輪廓示意圖。（20 分）
參考答案
答案：A
難度：簡單0.800752
統計：A(213),B(27),C(3),D(14),E(1)
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