問題詳情
四、在反應離子蝕刻（reactive ion etch - RIE）製程中採用XeF2及Ar氣體進行Si之蝕刻，其蝕刻速率為R，製程中含有化學蝕刻機制及物理蝕刻機制。
⑴請說明各氣體在蝕刻時分別之反應機制。（10 分）
⑴請說明各氣體在蝕刻時分別之反應機制。（10 分）
參考答案
答案：D
難度：簡單0.804054
統計：A(14),B(2),C(23),D(238),E(4)
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