問題詳情
二、
⑴對於 PECVD 製程中，使用 TEOS 可以達到最大沉積速率的溫度大約為 250℃。為什麼 ILD（Inter-layer Dielectric）TEOS 製程溫度在 400℃左右或更高的溫度下操作？（5 分）
⑴對於 PECVD 製程中，使用 TEOS 可以達到最大沉積速率的溫度大約為 250℃。為什麼 ILD（Inter-layer Dielectric）TEOS 製程溫度在 400℃左右或更高的溫度下操作？（5 分）
參考答案
答案：A
難度：簡單0.834783
統計：A(192),B(13),C(1),D(16),E(0)
內容推薦
- 三、Herpes Simplex Virus（HSV）是一種疱疹病毒科的病毒，請回答以下問題：（每小題 5 分，共 25 分）⑴ HSV 是屬於 DNA 病毒或 RNA 病毒？
- ⑵法院審判期日，辯護人因事遲延到庭或中途任意退庭，可否視為已經到場「辯護」？（5 分）
- ⑵審判期日中，審判長訊問當事人及辯護人對該勘驗筆錄有何意見？渠等均表示：「沒有意見」。則該勘驗筆錄是否得作為證據？（5 分）
- 四、假設 a 為一大小為 m×n 之二維陣列，其中 a[1][2]之位址為 124，a[5][4]之位址為228，已知陣列每一元素之大小為 4 位元組，則 a[3][5]之位址為何？（假設陣列索引值由
- 四、甲欠乙 5 百萬元借款，已超過 15 年，甲仍提出給付，若甲事後發現其得主張時效抗辯，可否向乙要求返還所提出之給付？（25 分）
- 二、請問微生物血清型（serotype）指的是什麼？血清型鑑定在流行病學上的重要性是什麼？Escherichia coli O157:H7 是重要的病原細菌，請問 O 及 H 各代表什麼？（25 分）
- 三、有關刑事訴訟法第 31 條第 1 項「強制辯護」的規定，試問：⑴所謂的辯護，在審判中係指「形式辯護」或「實質辯護」？請就該條之立法理由及實務見解申論之。（15 分）
- 二、請由使用者、應用程式、與硬體資源三個層面說明作業系統的目的為何。（15 分）
- 一、有一負載之端電壓及端電流分別為：v = 5 + 10 sin ω1t + 6 sin ω2t (V), i = 3 + 5 sin(ω1t − 30°) + 4 sin(ω2t − 45°) (A
- 三、甲將其所有之 A 珠寶與乙作成通謀虛偽買賣，並基於通謀虛偽意思將珠寶所有權讓與並交付給乙。若乙將 A 珠寶又出賣給丙，甲乙丙之間應如何主張權利？（25 分）
內容推薦
- ⑵此病毒的感染形式為何？
- ⑵試問經由施加負回授，使那個電路成為電壓放大器？電流放大器？轉導（transconductance）放大器？轉阻（transresistance）放大器？（8 分）
- 三、許 多 漁 業 管 理 會 議 和 文 件 報 告 中 ， 都 提 到 「 非 政 府 組 織 （ Non-GovernmentalOrganizations, NGOs）」，請說明 NGOs 的
- ⑶適應力（adaptability）
- ㈢(1011)2
- ⑶請描述此病毒的型態與結構。
- 全身麻醉劑desflurane的結構為何？(A) (B) (C) (D)
- ⑷參考點（reference points）
- ⑶法院審判期日，辯護人雖有到庭，辯護人僅稱：「請庭上依法判決」或只陳述：「辯護意旨如辯護狀所載」，可否認為已經有「辯護」？（5 分）參考法條：刑事訴訟法第 31 條第 1 項有下列情形之一，
- ⑷ HSV 會引發那些疾病？
- 五、在 C 語言中，宣告 int a[3] = {2, 4, 6}，若&a[0]的值是 1000 且整數之大小為 4 位元組，請問 printf（“%d %d＂, *(a+1), a+1）的輸出為何？
- 二、請說明「下雜魚」的定義。（5 分）並從海洋生態系的角度，說明「下雜魚」對海洋漁業生產力的影響及理由。（10 分）
- 四、第一審法院受命法官定準備程序期日及處所，疏未注意傳喚被告及通知辯護人，即進行勘驗證人之警詢筆錄光碟。試問：⑴該勘驗筆錄有無證據能力？理由何在？（15 分）
- 六、若一具有 10 個節點 A, B, C,…,J 之二元樹（binary tree），其先序尋訪（pre-order traversal）順序為 JCBADEFIGH，中序尋訪（in-order t
- ⑵是那些技術的改進促成銅連線製程應用到積體電路製程裡？（6 分）
- ⑵在高密度電漿 CVD（HDP CVD）氧化物製程中，為什麼用矽烷而不用 TEOS 作為矽來源氣體？（5 分）
- ⑶對於 PECVD 製程中，以矽烷作為沉積氧化矽之氣體源，當增加矽烷流量時，氧化矽薄膜之折射率會增加還是減少？原因為何？但若是以 TEOS 作為沉積氧化矽之氣體源，為什麼當 TEOS 流量增加
- 三、⑴電漿蝕刻製程中常使用那兩種惰性氣體？其作用分別是如何，請說明。（5 分）
- ⑵為何在沉積多晶矽薄膜時，所使用之氣體源多為矽甲烷而非矽氯化物？（5 分）
- ⑵對於一矽晶片，於其上依序沉積有一層厚度為 4 nm 的二氧化矽及一層厚度為 300 nm的多晶矽，而此多晶矽薄膜的厚度非均勻性為 5%。今欲對此多晶矽薄膜進行圖案化蝕刻以暴露出下方之二
- ⑵丙、丁所為採取甲之血液及乙之尿液，是否適法？就甲之血液及乙之尿液所得檢驗結果，得否作為認定甲、乙犯罪事實之證據？（10 分）
- 一、⑴求 8 x ≡ 10(mod 35)的所有整數 x 之解。（10 分）
- ⑷該法施行後未依公寓大廈管理條例成立管理委員會或推選管理負責人及完成報備之原由政府直接興建之國民住宅社區應如何辦理？（5 分）
- 四、⑴對波長為 193 nm 的準分子雷射光學系統而言，若其具有數值孔徑 NA = 0.65，製程相依因子 k1 = 0.6 及 k2 = 0.5，以此光學系統作為曝光機台的理論解析度及聚焦深
- 一、位於都市計畫住宅區之既成巷道應如何估價？又如該宗土地嗣劃入都市更新單元並予廢巷，且與鄰地合併開發為住宅大樓，請問該既成巷道又應如何估價？並請說明如何應用估價理論及何種估價方法來估價。（25 分）