問題詳情

2. 如圖 ( 一 ) 所示之 MOSFET 電路,MOSFET 之臨界電壓 ( threshold voltage ) VT = 1.8 V,參數 K = 1.2 mA / V2,已選擇適當之RD使電路操作於飽和區且 ID = 10.8 mA,則 RG1 應…...調整為何?
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(A) 150 kΩ
(B) 180 kΩ
(C) 210 kΩ
(D) 250 kΩ



參考答案

無參考答案

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