問題詳情

13. 有關新興製造技術的敘述,下列何者正確?
(A) 薄膜製程之氧化法適用於產生非矽質基板的沉積層
(B) 摻雜之目的在不受保護的矽基板上產生 B 型或 C 型半導體
(C) 非等向性蝕刻較等向性蝕刻容易在晶圓上產生過切現象
(D) 晶粒經電路測試完成後,再從晶圓切離

參考答案

無參考答案

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