問題詳情
五、對於一本質（Intrinsic）的矽半導體，進行淺層摻雜（Shallow doping）主要有擴散與離子佈植兩種技術。
⑴請說明這兩種技術所得到的濃度對深度的分布（Depth profile）有什麼不同？（15 分）
⑴請說明這兩種技術所得到的濃度對深度的分布（Depth profile）有什麼不同？（15 分）
參考答案
答案：A
難度：困難0.372193
統計：A(431),B(170),C(170),D(387),E(0)
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