問題詳情

20 關於 MOSFET 電晶體之敘述,下列何者錯誤?
(A) NMOSFET 通道下方之空乏區帶負電荷
(B) PMOSFET 導通時之通道帶正電荷
(C) MOSFET 操作在飽和區時之 Cgs(閘極到源極之寄生電容)> Cgd(閘極到汲極之寄生電容)
(D) NMOSFET 源極(source)對基板(substrate)之電壓提高,臨界電壓(threshold voltage)降低

參考答案

答案:D
難度:適中0.455882
統計:A(13),B(6),C(10),D(31),E(0)

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