有關 741 運算放大器(op amp)的敘述，下列何者錯誤？(A)輸入級為差動放大器 (B)電壓增益的主要來源為第二級(C) AB 類輸出級含有短路保護功能 (D)利用米勒頻率補償技術可將主要

問題詳情

60.有關 741 運算放大器(op amp)的敘述，下列何者錯誤？
(A)輸入級為差動放大器
(B)電壓增益的主要來源為第二級
(C) AB 類輸出級含有短路保護功能
(D)利用米勒頻率補償技術可將主要極點設計在極高頻處

參考答案

答案：D
難度：適中0.5
書單：沒有書單，新增

內容推薦

大型積體電路(large-scale integrated circuit, LSI circuit)所含的邏輯閘數目約為：(A) 10 ~ 100 個 (B) 100 ~ 1000 個 (C)
下列何者非運用負回授(negative feedback)技巧的好處？(A)提高增益 (B)調整輸入／輸出阻抗 (C)降低非線性失真 (D)提高訊雜比(signal-to-noise ratio
有關各類放大器組態的頻率響應說明，下列何者錯誤？(A)共源極(common-source, CS)放大器的高頻響應受限於米勒效應(Miller effect)(B)共源極(CS)放大器的頻寬可以
有關 AB 類輸出級(class AB output stage)的敘述，下列何者錯誤？(A)操作模式與 A 類輸出級類似 (B)輸入電壓極小時，兩個電晶體均導通(C)交越失真(crossove
在一差動放大器(differential amplifier)中，已知其共模增益(common-mode gain) Acm=−2×10−4，共模拒斥比(common-mode rejectio
如【圖 52】所示電路，下列敘述何者錯誤？ (A)此 NMOSFET 永遠操作於三極區(B)當 V 小於 VT時，此電路視同開路(C)此電路經常取代電阻作為負載使用(D)其小信號等效電阻與直流偏
一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) VT = 1 V，且在 VGS = 4 V 時的飽和汲極電流為 9 mA，則 VG
一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V，當 VDS = 4 V 時，則 VGS = 1 V 與−1 V 的 ID比值為何？(A) 1 : 1 (B) 16 :
一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V，當 VGS = 1 V、VDS = 4 V 時，ID值為何？(A) 1 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D)
有關金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistors, MOSFET)的敘述，下列何者錯誤？(A)閘極與半導體通道