問題詳情
五、對於多晶矽閘（poly-Si gate） p 通道金氧半場效電晶體（p-channel MOSFET）：
⑴請簡述採用離子佈植技術之電晶體製程步驟流程。（10 分）
⑴請簡述採用離子佈植技術之電晶體製程步驟流程。（10 分）
參考答案
答案：C
難度：簡單0.752621
統計：A(32),B(75),C(359),D(11),E(0)
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