問題詳情

四、在半導體曝光顯影製程中,對於所使用的光阻(photo resist):
⑴請說明正光阻與負光阻之特性差異。(10 分)

參考答案

答案:C
難度:簡單0.859829
統計:A(30),B(22),C(503),D(30),E(0)

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