問題詳情
四、在 p 通道 MOSFET 製程技術中，利用深淺不同之離子佈植進行臨限電壓調整（VT-adjust）及抗擊穿（antipunch-through）佈植，請以 p-MOSFET 元件結構剖面圖說明兩佈植區域位置及其實施理由。（15 分）
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- ⑵ DC bias =？（7 分）
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