C1 類薄管導彎試片之寬度為 (A)9 (B)25 (C)38 (D)45 公厘。

問題詳情

1. C1 類薄管導彎試片之寬度為
(A)9
(B)25
(C)38
(D)45 公厘。

參考答案

答案：C
難度：計算中-1
書單：沒有書單，新增

內容推薦

在邏輯帶(logic band)區域所定義的四種邏輯準位電壓參數，其間正確的大小關係為：(A) (B) (C) (D)
大型積體電路(large-scale integrated circuit, LSI circuit)所含的邏輯閘數目約為：(A) 10 ~ 100 個 (B) 100 ~ 1000 個 (C)
下列何者非運用負回授(negative feedback)技巧的好處？(A)提高增益 (B)調整輸入／輸出阻抗 (C)降低非線性失真 (D)提高訊雜比(signal-to-noise ratio
有關各類放大器組態的頻率響應說明，下列何者錯誤？(A)共源極(common-source, CS)放大器的高頻響應受限於米勒效應(Miller effect)(B)共源極(CS)放大器的頻寬可以
有關 AB 類輸出級(class AB output stage)的敘述，下列何者錯誤？(A)操作模式與 A 類輸出級類似 (B)輸入電壓極小時，兩個電晶體均導通(C)交越失真(crossove
在一差動放大器(differential amplifier)中，已知其共模增益(common-mode gain) ，共模拒斥比(common-mode rejection ratio, CM
如【圖 52】所示電路，下列敘述何者錯誤？ (A)此 NMOSFET 永遠操作於三極區(B)當 V 小於時，此電路視同開路(C)此電路經常取代電阻作為負載使用(D)其小信號等效電阻與直流偏壓電
一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) ，且在 = 4 V 時的飽和汲極電流為 9 mA，則 = 3 V 時的為何？
一空乏型 NMOSFET 的 = 9 mA、 = −3 V，當 = 4 V 時，則 = 1 V 與−1 V 的比值為何？(A) 1 : 1 (B) 16 : 9 (C) 16 : 4 (D)
一空乏型 NMOSFET 的 = 9 mA、 = −3 V，當 = 1 V、 = 4 V 時，值為何？(A) 1 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA

內容推薦