一空乏型 NMOSFET 的 = 9 mA、 = −3 V，當 = 4 V 時，則 = 1 V 與−1 V 的比值為何？(A) 1 : 1 (B) 16 : 9 (C) 16 : 4 (D)

問題詳情

50.一空乏型 NMOSFET 的 = 9 mA、 = −3 V，當 = 4 V 時，則 = 1 V 與−1 V 的比值為何？
(A) 1 : 1
(B) 16 : 9
(C) 16 : 4
(D) 16 : 1

參考答案

答案：C
難度：計算中-1
書單：沒有書單，新增

內容推薦

有關金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistors, MOSFET)的敘述，下列何者錯誤？(A)閘極與半導體通道
如【圖 47】所示的 JFET 電路， = 12 mA 且 = −3 V，請問下列值何者可以使該 JFET 操作於夾止區？ (A) 0.9 kΩ (B) 1 kΩ (C) 3 kΩ (
一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) 為−5 V，當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、且為一固定值−1 V 時，
有關接面場效電晶體(junction field effect transistors, JFET)結構的敘述，下列何者錯誤？(A)只含一個 pn 接面，是一種單極性元件(unipolar de
如【圖 44】所示以 CC 放大器為主的達林頓對(Darlington pair)放大器，則等效的共射極電流增益β為何？ (A) 50(B) 150(C) 5000(D) 2
有關 BJT 的共極集(common-collector, CC)放大器，下列敘述何者錯誤？(A)輸入電阻小、輸出電阻大(B)又稱為射極隨耦器(emitter follower)(C)適合作為緩
如【圖 42】所示以分壓器偏壓之 BJT 共射極(common-emitter, CE)放大器，則下列敘述何者錯誤？ (A)計算直流偏壓條件時，C1與 C2可視為開路(B)集極到基極間電壓約等於
如【圖 41】所示 BJT 電路，使約為 2 V 之值為何？ (A) 2 kΩ (B) 4 kΩ (C) 6 kΩ (D) 8 kΩ
某 BJT 的共射極電流增益(common-emitter current gain) β = 99，則其共基極電流增益(common-base current gain) α為何？(A) 0.
某 BJT 的 BE 接面為逆向偏壓、BC 接面為順向偏壓，則該 BJT 的操作模式為：(A)順向作用區(forward active region) (B)截止區(cutoff region)