問題詳情

34.在【圖 34】的電路,NMOS 電晶體的臨界電壓(Threshold voltage)Vt=1V。電流源 I=1mA,VDD=5V,若要使該電晶體操作在飽和模式(Saturation mode),則 RD的最大值為多大?
(A) 4kΩ 
(B) 5kΩ 
(C) 6kΩ 
(D)無限制

參考答案

答案:C
難度:困難0.347826
統計:A(6),B(3),C(8),D(4),E(0)

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