問題詳情

32.一個 NMOSFET,其臨界電壓(Threshold Voltage)Vt=1V。輸入端的電壓,VGS=2V 時,其汲極飽和電流 ID=1mA。則當 VGS增至 3V 而電晶體仍處於飽和模式(Saturation mode)之 ID值約為多大?
(A) 1mA
(B) 2mA
(C) 4mA
(D) 9mA

參考答案

答案:C
難度:簡單0.72973
統計:A(4),B(3),C(27),D(2),E(0)

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