問題詳情
19.如【圖 19】所示截波電路，假設二極體為理想，若 Vi 輸入電壓為 0～50V，請問下列何種二極體導通(ON)、截止(OFF)狀態是不會發生的？
(A) D1 OFF、D2 OFF
(B) D1 OFF、D2 ON
(C) D1 ON、D2 OFF
(D) D1 ON、D2 ON
參考答案
答案：B
難度：簡單0.7
書單：沒有書單，新增
內容推薦
- 如【圖 17】所示電路，若 Q1 與 Q2 電晶體特性相同，β=100，且 VBE=0.7V，則 I 電流為何？ (A) 15mA (B) 50mA (C) 30mA (D) 0
- 下列何者為中心抽頭全波整流濾波電路與橋式全波整流濾波電路之不同處？(A)直流輸出電壓(Vo(dc)) (B)每個二極體所承受之 PIV 值(C)漣波因素(r%) (D)輸出波形的頻率(fo)
- 有一矽質半導體，其本質濃度為 5×1010/cm原子密度為 5×1022/cm3，若每 2×109 原子加入一個受體雜質，請問將轉換成何種外質半導體，且載子濃度為何？(A) N 型半導體
- 當溫度上升，二極體障壁電壓由 0.7V 下降成為 0.6V，則漏電流會由 3nA 變為何？(A) 1nA (B) 3nA (C) 24nA (D) 48nA
- 如【圖 13】所示電路，其功能與下列何種電路相同？ (A)共射極放大器 (B)源極隨耦器 (C)非反相放大器 (D)多諧振盪器
- 下列何種效應是機械能與電能之轉換？(A)霍爾效應 (B)壓電效應 (C)熱電效應 (D)集膚效應
- 如【圖 11】所示電路，若稽納二極體為理想，且 VZ=6V，若 Vi＝12V，則 Vo 為何？ (A) 3V (B) 6V (C) 9V (D) 12V
- 如【圖 10】所示波形，工作週期(Duty cycle)D 為何？ (A) 33% (B) 00% (C) 67% (D) 100.0%
- 下列何種積體電路(IC)可以當作定時器(Timer)使用？(A) NE565 (B) NE556 (C) LM324 (D) uA741
- 能在不需外加任何信號即可產生一連串脈波輸出之振盪器為何？(A)單穩態多諧振盪器 (B)雙穩態多諧振盪器 (C)無穩態多諧振盪器 (D)石英晶體振盪器
內容推薦
- 如【圖 21】所示，電晶體在飽和區工作下，若 VBE(SAT)＝VCE(SAT)＝0V，請問集極電流為何？ (A) 29mA (B) 14mA (C) 29 mA (D) 60m
- 如【圖 22】所示，為 OPA 為理想，稽納二極體之稽納電壓 VZ＝3V、順向電壓為 VF＝0.7V，若VS＝0.6V，請問輸出電壓 VO 為何？ (A) +12V(B) +7V(C) -7
- 週期性波形之頻率為 5kHZ，則其週期為何？(A) 100μs (B) 200μs (C) 1ms (D) 5ms
- 在純矽中加入少量五價元素，會形成何種元件？(A) P 型半導體 (B) N 型半導體 (C)超導體 (D)絕緣體
- 如【圖 25】所示電路，假設 D 為理想型二極體，則 Vo值為何？ (A) 1V (B) 5V (C) 6V (D) 11V
- 矽二極體在溫度 25℃時之逆向飽和電流為 10nA，若溫度上升至 55℃時，逆向飽和電流變為多少？(A) 30nA (B) 80nA (C) 33nA (D) 25nA
- 電晶體當開關使用時，當電晶體完全導通，則其：(A) IB≒0 (B) IC≒0 (C) IE≒0 (D) VCE≒0
- 電晶體(BJT)放大電路三組態中，下列何種組態的輸入電壓信號與輸出電壓信號相位相差 180o？(A)共集極組態 (B)共射極組態 (C)共基極組態 (D)共集極與共基極組態均會
- 有一電晶體放大器在工作區時，其 IB = 50μA，IC = 10mA，則 β 值為何？(A) 0.95 (B) 2 (C) 200 (D) 500
- FET 不具備下列何項元件之功用？(A)開關 (B)放大 (C)電阻 (D)整流
- 如【圖 31】中 OPA 為理想運算放大器 Vcc=15V，輸入信號：Vin 為三角波，其峰值為 10mV、平均値為 0，則 Vout 為何？ (A)峰值為 15V 方波(B)峰值為 15V 三
- 如【圖 32】所示，求電流 I 之大小為何？ (A) 1mA (B) 5mA (C) 5mA (D) 5mA
- 如【圖 33】所示電路，射極旁路電容器 CE 之主要功能為何？ (A)提高偏壓穩定度 (B)提高輸入阻抗(C)保護電晶體(避免射極電流過大而燒毀) (D)提高交流信號的電壓增益
- 如【圖 34】所示為下列何種電路？ (A)微分器(B)反相器(C)比較器(D)積分器
- 雙極性電晶體(BJT)放大器三種組態中，共集極放大器之特點為何？(A)電壓增益最小 (B)輸入阻抗最小 (C)輸出阻抗最大 (D)電流增益最小
- 如【圖 36】所示，求電壓增益 AV=Vo/Vi 為何？ (A) 2(B) 3(C) -1(D) -0.5
- 如【圖 37】所示之電路為下列何種濾波電路？ (A)帶通濾波器 (B)帶拒濾波器 (C)高通濾波器 (D)低通濾波器
- 正反器可由下列何種電路來組成？(A)史密特觸發器 (B)無穩態多諧振盪器 (C)單穩態多諧振盪器 (D)雙穩態多諧振盪器
- 下列何者為 N 通道場效電晶體(FET)之電荷載子？(A)主載子為電洞、副載子為電子(B)主載子為電子、副載子為電洞(C)電子(D)電洞
- 如【圖 40】所示電路（假設 C、RL值均很大），Vi 為 AC100V、60Hz 正弦波，則 Vo約為何？ (A) 28V(B) 20V(C) 7V(D) 90V
- 如【圖 41】所示電路，假設 D 為理想二極體，輸入信號(Vi)為 5kHz、峯對峯值為 20V 之方波（其平均值為 0V），則輸出電壓 Vo的平均值為何？ (A) 0V(B) -11V(C)
- 如【圖 42】所示電路，電晶體為矽質材料，工作於正常線性放大區域，求 IC 值為何？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 3mA (D) 4mA
- 有關振盪器的敘述，下列何者錯誤？(A)石英晶體振盪器的輸出頻率最穩定(B) RC 相移振盪器至少需 3 級 RC 電路來做相移(C)哈特萊振盪器的輸出是高頻方波(D)韋恩電橋振盪器輸出是低頻弦波
- 如【圖 44】所示之電路，射極電壓 VＣ約為何？ (A) 3V (B) 6V (C) 1V (D) 5V
- 如【圖 45】所示電路，求 Vo大小為何？ (A) -3V (B) -4V (C) 2V (D) 5V