問題詳情
9.下列何種積體電路(IC)可以當作定時器(Timer)使用？
(A) NE565
(B) NE556
(C) LM324
(D) uA741
(A) NE565
(B) NE556
(C) LM324
(D) uA741
參考答案
答案：B
難度：適中0.4
書單：沒有書單，新增
內容推薦
- 下列何者非屬 FET 相對於 BJT 的優點？(A)有極高輸入阻抗 (B)溫度特性佳，不會有熱跑脫現象(C)單位面積容量大，適合製作 VLSI (D)增益與頻帶寬度乘積大，高頻響應良好
- 有關達靈頓(Darlington)電路特性，下列敘述何者錯誤？(A)溫度特性極佳 (B)電流增益很大(C)電壓增益小於 1 (D)適合做為緩衝器(Buffer)、電流放大使用
- 一般直流放大器(DC Amplifier)其交連方式為何？(A)採 RC 耦合 (B)採直接耦合 (C)採電感器耦合 (D)採變壓器耦合
- 電晶體若工作在飽和區，下列何者錯誤？(A) βIB＞IC(SAT) (B) VCE(SAT)=0.2V(C) IE＞IC+IB (D)常應用在數位電路
- 如【圖 3】所示電路，Rs=400Ω 且使用 16Ω 喇叭，若要達到「阻抗匹配」的效果，則變壓器初級與次級線圈之圈數比(N1：N2)為何？ (A) 800：20 (B) 220：110(C) 20
- 下列何種二極體其 V-I 特性曲線中具有「負電阻區」特性？(A)發光二極體(LED) (B)光二極體(Photo Diode)(C)蕭特基二極體(Schottky Diode) (D)透納二極體(
- There are thirty students _____ today’s English class.(A)on (B)at (C)of (D)in
- 【題組】承上題，該檢査結果之甲狀腺放射吸收：(A)正常 (B)偏局 (C)偏低 (D)無法判斷
- 男‘注19歲因頸部接近舌下腫塊求診-該病患自幼因輕微甲狀腺功能不足長期接受甲狀腺素補充治療，經核醫 檢査其甲狀腺（如圖），【題組】下列敘述何者錯誤？(A)舌下腫塊可能是異位性的甲狀腺組織(ect
- 關於核醫使用熱發光劑量計(thermoluminescent dosimeters, TLDs)的敘述，下列何者正確？(A)將受到輻射照射的熱發光無機晶體加熱後，其所發生的光與輻射照射的劑量成反
內容推薦
- 如【圖 11】所示電路，若稽納二極體為理想，且 VZ=6V，若 Vi＝12V，則 Vo 為何？ (A) 3V (B) 6V (C) 9V (D) 12V
- 下列何種效應是機械能與電能之轉換？(A)霍爾效應 (B)壓電效應 (C)熱電效應 (D)集膚效應
- 如【圖 13】所示電路，其功能與下列何種電路相同？ (A)共射極放大器 (B)源極隨耦器 (C)非反相放大器 (D)多諧振盪器
- 當溫度上升，二極體障壁電壓由 0.7V 下降成為 0.6V，則漏電流會由 3nA 變為何？(A) 1nA (B) 3nA (C) 24nA (D) 48nA
- 有一矽質半導體，其本質濃度為 5×1010/cm原子密度為 5×1022/cm3，若每 2×109 原子加入一個受體雜質，請問將轉換成何種外質半導體，且載子濃度為何？(A) N 型半導體
- 下列何者為中心抽頭全波整流濾波電路與橋式全波整流濾波電路之不同處？(A)直流輸出電壓(Vo(dc)) (B)每個二極體所承受之 PIV 值(C)漣波因素(r%) (D)輸出波形的頻率(fo)
- 如【圖 17】所示電路，若 Q1 與 Q2 電晶體特性相同，β=100，且 VBE=0.7V，則 I 電流為何？ (A) 15mA (B) 50mA (C) 30mA (D) 0
- 如【圖 18】所示電路，假設二極體為理想，當 Vi= -5V 時，則輸出電壓 Vo為何？ (A) 8V (B) 0V (C) -8V (D) -5V
- 如【圖 19】所示截波電路，假設二極體為理想，若 Vi 輸入電壓為 0～50V，請問下列何種二極體導通(ON)、截止(OFF)狀態是不會發生的？ (A) D1 OFF、D2 OFF(B) D1
- 如下圖所示電晶體反相器(Inverter)，二極體 D 為理想、電晶體飽和電壓為 0V，假設輸入電壓Vi＝5V，且電路正常工作，下列敘述何者正確？ (A)二極體 D 導通(ON) (B) IB＝
- 如【圖 21】所示，電晶體在飽和區工作下，若 VBE(SAT)＝VCE(SAT)＝0V，請問集極電流為何？ (A) 29mA (B) 14mA (C) 29 mA (D) 60m
- 如【圖 22】所示，為 OPA 為理想，稽納二極體之稽納電壓 VZ＝3V、順向電壓為 VF＝0.7V，若VS＝0.6V，請問輸出電壓 VO 為何？ (A) +12V(B) +7V(C) -7
- 週期性波形之頻率為 5kHZ，則其週期為何？(A) 100μs (B) 200μs (C) 1ms (D) 5ms
- 在純矽中加入少量五價元素，會形成何種元件？(A) P 型半導體 (B) N 型半導體 (C)超導體 (D)絕緣體
- 如【圖 25】所示電路，假設 D 為理想型二極體，則 Vo值為何？ (A) 1V (B) 5V (C) 6V (D) 11V
- 矽二極體在溫度 25℃時之逆向飽和電流為 10nA，若溫度上升至 55℃時，逆向飽和電流變為多少？(A) 30nA (B) 80nA (C) 33nA (D) 25nA
- 電晶體當開關使用時，當電晶體完全導通，則其：(A) IB≒0 (B) IC≒0 (C) IE≒0 (D) VCE≒0
- 電晶體(BJT)放大電路三組態中，下列何種組態的輸入電壓信號與輸出電壓信號相位相差 180o？(A)共集極組態 (B)共射極組態 (C)共基極組態 (D)共集極與共基極組態均會
- 有一電晶體放大器在工作區時，其 IB = 50μA，IC = 10mA，則 β 值為何？(A) 0.95 (B) 2 (C) 200 (D) 500
- FET 不具備下列何項元件之功用？(A)開關 (B)放大 (C)電阻 (D)整流
- 如【圖 31】中 OPA 為理想運算放大器 Vcc=15V，輸入信號：Vin 為三角波，其峰值為 10mV、平均値為 0，則 Vout 為何？ (A)峰值為 15V 方波(B)峰值為 15V 三
- 如【圖 32】所示，求電流 I 之大小為何？ (A) 1mA (B) 5mA (C) 5mA (D) 5mA
- 如【圖 33】所示電路，射極旁路電容器 CE 之主要功能為何？ (A)提高偏壓穩定度 (B)提高輸入阻抗(C)保護電晶體(避免射極電流過大而燒毀) (D)提高交流信號的電壓增益
- 如【圖 34】所示為下列何種電路？ (A)微分器(B)反相器(C)比較器(D)積分器
- 雙極性電晶體(BJT)放大器三種組態中，共集極放大器之特點為何？(A)電壓增益最小 (B)輸入阻抗最小 (C)輸出阻抗最大 (D)電流增益最小