問題詳情
三、
⑴在離子佈植過程中，由於高能離子撞擊進入半導體晶片內部，造成半導體晶格（lattice）受到損傷（damage），通常我們會將離子佈植後的半導體晶片進行熱處理。請說明使用快速熱處理（Rapid thermal processing）方式優於一般傳統的加熱爐方式之原因為何？（10 分）
⑴在離子佈植過程中，由於高能離子撞擊進入半導體晶片內部，造成半導體晶格（lattice）受到損傷（damage），通常我們會將離子佈植後的半導體晶片進行熱處理。請說明使用快速熱處理（Rapid thermal processing）方式優於一般傳統的加熱爐方式之原因為何？（10 分）
參考答案
無參考答案
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