問題詳情
五、
⑴以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiO2及Si3N4，而以電漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiOx及SiNx，為什麼？（10 分）
⑴以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiO2及Si3N4，而以電漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiOx及SiNx，為什麼？（10 分）
參考答案
無參考答案
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