問題詳情
18 右圖之 CMOS 靜態隨機存取記憶元（SRAM cell），下列何方法一定可提高寫入速度？ 
(A)增加 M1，M2元件長度
(B)減少 M1，M2元件寬度
(C)提高 WL 電壓
(D)提高 BL 電壓
(A)增加 M1，M2元件長度
(B)減少 M1，M2元件寬度
(C)提高 WL 電壓
(D)提高 BL 電壓
參考答案
答案：C
難度：困難0.32
統計：A(3),B(6),C(8),D(4),E(0)
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