問題詳情

6 關於 MOSFET 電晶體之敘述,下列何者錯誤?
(A)PMOS 主要靠電洞導電
(B)增強型 NMOS 之臨界電壓為正值
(C)一般 NMOS 在使用時之源極(Source)電壓較汲極(Drain)電壓高
(D)NMOS 之基板(Substrate)為 P 型

參考答案

答案:C
難度:簡單0.820225
統計:A(3),B(3),C(73),D(4),E(0)

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