問題詳情

7 某 FET 工作在飽和區(Saturation Region),其 iD-vGS關係如圖所示,iD是流入汲極之電流,則此 FET為:
(A)增強型 NMOS
(B)增強型 PMOS
(C)空乏型 NMOS
(D)空乏型 PMOS

參考答案

答案:C
難度:簡單0.827586
統計:A(1),B(5),C(48),D(2),E(0)

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