五、有一 n+pn Si BJT，如圖三，其射極和集極區都甚長，面積為 A＝10－6 cm2。且相關參數如下： 1.此 BJT 為均勻攙雜，且各區之雜質濃度為 NE＝1019cm-3，NB＝1017cm-3，NC＝1015cm-3。  2.少數載子之擴散係數如下：DE＝2 cm2/s，DB＝20 cm2/s，DC＝12 cm2/s。 3.少數載子之生命期 τE＝10－7s，τB＝τC＝10－6s。若此 BJT 以 VBE＝0.6V，VCB＝1V 的條件操作於活性區（active region）且 WB＝0.6 µm。試問：
⑴在各空乏區邊緣（即圖三所標示之 A，B，C，D 等位置）之多出少數載子濃度（excess minority-carrier concentration）為何？（7 分）