問題詳情
4 下列有關 p-n 接面二極體之敘述何者正確？
(A)摻雜濃度越高，空乏區寬度越大
(B)擴散電容（Diffusion Capacitance）是逆向偏壓時所注入的少數載子（minority carrier）所造成的
(C) P 型材料的空乏區中是帶正電且不可移動的離子
(D)外加逆向偏壓愈大，接面電容愈小
(A)摻雜濃度越高，空乏區寬度越大
(B)擴散電容（Diffusion Capacitance）是逆向偏壓時所注入的少數載子（minority carrier）所造成的
(C) P 型材料的空乏區中是帶正電且不可移動的離子
(D)外加逆向偏壓愈大，接面電容愈小
參考答案
答案：D
難度：適中0.542857
統計：A(6),B(5),C(2),D(19),E(0)
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