問題詳情

7 在矽晶接面二極體中,若增加 p 型區和 n 型區的摻雜濃度,下面那一項物理量會隨之上升?
(A)空乏區厚度
(B)內建電壓(Built-in potential)
(C)導通時的微分電阻
(D)崩潰電壓

參考答案

答案:B
難度:適中0.47619
統計:A(5),B(10),C(4),D(1),E(0)

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