問題詳情
五、對 MOS 寄 生 電 容 而 言 ， 在 T=300 K 下 ， 考 慮 p 型 矽 基 板 (ε s = 11.7ε 0 ) ，ε 0 = 8.85 × 10 −14 F / cm 2 其摻雜量Na ＝1016/cm3 ，若氧化層是二氧化矽 (ε ox = 3.9ε 0 ) ，°厚度為 550 A ，而且閘極為鋁材質，試計算出氧化層電容（Cox）、最小電容（Cmin）及平帶電容（CFB）等值。（20 分）
參考答案
答案：C
難度：簡單0.761134
統計：A(5),B(29),C(188),D(17),E(0) #
個人：尚未作答書單：Communicative Language Teaching (CLT)
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