問題詳情

下列有關PN接面二極體的敘述,何者有誤?
(A)矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高
(B)二極體加順向偏壓後,空乏區變窄
(C)溫度上升時,障壁電壓上升
(D)溫度上升時,漏電流上升

參考答案

答案:C
難度:適中0.67033
統計:A(4),B(8),C(61),D(12),E(0)

內容推薦

內容推薦