問題詳情

5 某 FET 工作在飽和區（Saturation Region），其 iD- VGS關係如下圖所示，則此 FET 為：
(A)增強型 NMOS  
(B)增強型 PMOS
(C)空乏型 NMOS
(D)空乏型 PMOS

參考答案

答案：C
難度：簡單0.737705
統計：A(10),B(3),C(45),D(2),E(0)

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