問題詳情

4 在下列各選項中,那一個選項對MOS電晶體的臨界電壓(Threshold Voltage)Vt的影響最小:tox
(A)通道的寬長比 W/L
(B)氧化層的介電常數εαx
(C)氧化層的厚度tox
(D)半導體的雜質濃度 N

參考答案

答案:A
難度:困難0.378788
統計:A(25),B(7),C(6),D(17),E(0)

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