問題詳情

二、一般以雙極性接面電晶體(Bipolar junction transistor)技術製作之 IC,常包含一矽磊晶製程以形成埋藏層(Buried layer),此製程可改善雙極性接面電晶體的工作特性,請說明此製程及其如何改善雙極性接面電晶體的工作特性。(20 分)

參考答案

答案:C
難度:適中0.630306
統計:A(55),B(150),C(1277),D(544),E(0) #
個人:尚未作答書單:同理心

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