問題詳情

27 當一MOS電晶體操作於飽和模式時,其轉移電導值gm與汲極電流ID的關係是(不考慮短通道效應):
(A) gm ∝ I/1D
(B) gm ∝ 1/√ID
(C) gm ∝√ID 
(D) gm ∝ I1D

參考答案

答案:C
難度:適中0.641026
統計:A(4),B(0),C(25),D(6),E(0)

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