問題詳情
40.在公開金匙密碼術中，B傳資料給A，且使用B的私人鑰知加密，則A如何解密閱讀？
(A)用A的公開鑰匙
(B)用B的公開鑰匙
(C)用A的私人鑰匙
(D)用B的私人鑰匙。
(A)用A的公開鑰匙
(B)用B的公開鑰匙
(C)用A的私人鑰匙
(D)用B的私人鑰匙。
參考答案
答案：B
難度：適中0.548387
統計：A(4),B(17),C(6),D(2),E(0)
內容推薦
- 下列何者不是特洛依木馬的特徵？ (A)會破壞資料(B)會自我複製(C)不會感染其他檔案(D)會竊取使用者密碼
- 三、Under our Patent Law, is an applicant required to hire a patent agent to file patent applicat
- ⑵熱平衡下，半導體接面的電子濃度為何？
- 市售 90W 燈泡所標示的「90W」，是指這種燈泡在穩定發光時所消耗的功率，然而電燈泡內鎢絲的電阻會隨溫度而變化，所以鎢絲溫度較低時，其功率不一定恰為 90W。設剛開燈時，一個 90W 燈泡的電
- 24 An agreement in which a number of manufactures agree to an interchange of patent licenses among t
- 一張網路卡的MAC位址都是以多少Byte表示？(A) 4 (B) 6 (C) 7 (D) 8
- ⑶此一火災持續時間（min）為多少？（25 分）
- 二、由金屬與n型半導體形成一個理想的蕭基界面，金屬的功函數qΦM，半導體的電子親和力qX，能隙為Eg，摻雜濃度為ND，本質載子濃度為ni，電洞遷移率µp，電子遷移率µn，電洞擴散常數 Dp，電洞生命期
- 四、建築避難逃生設計原則與火災當中的人類避難行為息息相關，請說明建築物火災中，逃生者的精神緊張狀態與火災的發展歷程有何關係？又此種關係對於建築物火災的避難逃生設計有何意義？（25 分）
- 通常磁帶的記憶間會留一空白間隙以區隔資料，此間隙稱為：(A)BPI (B) QIC (C) IBG (D) DAT
內容推薦
- 二、請問何謂「引火性液體」？另請敘述引火點在 100℃以下之引火性液體具有那些特性？（25 分）
- 資料正規化的主要目的為何?(A)合併不同類型的資料庫(B)使資料庫可分散式儲存(C)避免因資料重複而產生異常(D)可重複偵測資料庫的錯誤
- 同溫、同壓下，8 mL 甲烷與 V mL 氮氣含有相同的原子數，則 V 值為若干 mL？ (A) 10 (B) 20(C) 25 (D) 35 (E) 40。
- ⑷熱平衡下，半導體空乏區寬度為何？
- 下列關於「雙核心CPU」的敘述，何者正確？(A)雙核心CPU就是指加入了 Hyper-Threading技術的 CPU (B)雙核心CPU是利用平行運算的概念來提高效能(C)雙核心CPU就是32
- ⑸熱平衡下，半導體接面的電洞漂移電流密度（drift current density）大小及方向為何？
- ⑵畫出等效圖後，請寫出節點 4 之輸出。（5 分）
- ⑵若輸出電流為 5 安培時，則輸出電壓為多少伏特？（10 分）
- 18 甲公司於 20X1 年 1 月 1 日購入一部機器，耐用年限為 5 年，殘值為成本之 5%，則在 20X1 年度及 20X2年度，採用年數合計法的淨利金額會比採用倍數餘額遞減法的淨利金
- ⑶畫出等效圖後，請寫出節點 Y 之輸出。（5 分）
- 上圖是某雜誌專題報導插圖，請問本次專題報導內容與下列何者的敘述最接近？(A)經濟不景氣造成收入減少，若有能力買房子，才會考慮將年邁的父母接來同住(B)生兒育女開銷大，造成少子化現象，如能落實
- 23 甲公司於 20X1 年 1 月 1 日成立，與員工訂定確定給付退休金計畫，20X1 年度及 20X2 年度相關資料如下： 甲公司於 20X1 年度及 20X2 年度均無員工退休，故無
- ⑵擇一組織圖，繪出穿綜圖，穿筘圖（2 經 1 筘）及紋版圖。（10 分）
- ⑷不用梅森法，請寫出 R 到 Y 之轉移函數。（5 分）
- ⑺若更換成具有較大功函數的金屬，此一新的理想蕭基二極體，在順向偏壓下，多數載子電流與少數載子電流的比值，與原有的蕭基二極體相較，何者較大？原因何在？
- ⑶地面位置經度（GPλ）
- 下列 Visual Basic 程式片段，執行後的結果為何？ (A)25 (B)42 (C)18 (D)33
- 二、試繪經緯浮長為 3 的海綿組織（Sponge Weaves）。（5 分）
- 二、茲將 0.1568 克之鐵（原子量 847）溶於酸中，所生成的Fe2+(aq)可用 24 cm3之過錳酸鉀（potassium permanganate）溶液將之轉化為三價離子，其反應
- 三、一個理想的p-Si/SiO2/n-Si (SOS)電容，在溫度T＝300°K，受體（acceptor）濃度（p型區）NA＝施體（donor）濃度（n型區）ND = ni × e10 cm-3，ni
- ⑷地面位置緯度（GPL）
- 三、寫出下列反應中 A 至 E 的結構。（10 分）
- 三、試繪 10 根經紗，6 根緯紗構成的假紗羅組織（Mock leno weaves）。（5 分）
- 三、圖 3 為五個（A,甲,乙,丙,丁）二階系統（second-order systems）的根 − ζω n ± ωn√ζ2 − 1分佈情形，且都具有單位直流增益（unity DC gains），請
- 二、如圖一之黑盒子（內部電路未知）中，已知 A、B兩點之間的電壓在開路時為 20 伏特，當 A、B 之間短路時有 2 安培電流流過。⑴試求 A、B 兩點間之戴維寧及諾頓等效電路。 （10 分）