問題詳情
三、一個理想的p-Si/SiO2/n-Si (SOS)電容，在溫度T＝300°K，受體（acceptor）濃度（p型區）NA＝施體（donor）濃度（n型區）ND = ni × e10 cm-3，ni 是矽的本質載子濃度，SiO2的厚度tox，電容面積A：（20 分）
⑴當外加偏壓VG＝？時，電容達到平帶（flat-band）條件。
⑴當外加偏壓VG＝？時，電容達到平帶（flat-band）條件。
參考答案
答案：B
難度：簡單0.716981
統計：A(31),B(152),C(4),D(17),E(0)
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