問題詳情

四、假 設 在 矽 ( Si ) 半 導 體 中 , 其 電 子 濃 度 依 位 置 x 變 化 之 分 布 函 數 可 表 示 為n( x) = 1015 e − x / Ln cm − 3 ( x ≥ 0) ,電子之擴散長度(diffusion length) Ln = 10− 4 cm ,電子之擴散率(diffusivity) Dn = 25 cm 2 / s ,單位電量 q = 1.6 × 10 −19 C 。試求在 x = 2 μm處,電子擴散電流密度 J n = ?(10 分)

參考答案

答案:B
難度:困難0.243421
統計:A(6),B(37),C(0),D(51),E(58) #
個人:尚未作答書單:遺產稅-信託利益計算規定、遺產及贈與稅繳納期限規定、稅法有關分期繳納之規定

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