問題詳情
28. 顯示器若為無影像時，則可能故障電路為何？
(A)影像處理電路
(B)聲音處理電路
(C)輸入接頭(D-DUB)
(D)冷陰極管(CCFL)驅動電源。
(A)影像處理電路
(B)聲音處理電路
(C)輸入接頭(D-DUB)
(D)冷陰極管(CCFL)驅動電源。
參考答案
答案：A,C
難度：適中0.5
統計：A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)
內容推薦
- 效率最高的放大器是(A)A 類(B)B 類(C)AB 類(D)C 類。
- 導線接頭加上銲錫後可以(A)降低機械強度(B)降低接觸電阻(C)增加機械強度(D)增加接觸電阻。
- 在調頻廣播中為提高信號雜音比(S/N 比)聲頻率響應採用(A)發射時正常，接收時預強調(B)發射時解強調，接收時預強調(C)發射時預強調，接收時解強調(D)發射、接收均將高音部份加強。
- 在高溫作業環境中，必須隨時補充(A)鹽份(B)糖份(C)水份(D)電解質。
- 一般常用錫銲其成分是由(A)金(B)錫(C)銅(D)鉛 所組成。
- 使用手提電鑽，應該(A)施壓不可太大，以一定的壓力與速度進行直到鑽穿(B)要戴手套，保護手部(C)小型工件7要用手抓牢，才不會飛出(D)更換鑽頭或放下電鑽，應先切斷電源。
- 使用指針式三用電表測量電壓時(A)需作歐姆歸零調整(B)將電壓檔位先調至最高檔(C)不必注意指針之零點(D)需注意其為交流或直流。
- B 類推挽式放大器，於放音時音量大且無顯著失真，於音量小時則嚴重失真，其造成之原因為無信號時之靜態(A)射極電壓太高(B)基極電壓太低(C)集極電壓太低(D)集極電壓太高。
- LED 背光液晶顯示電視，其背光技術種類為何？(A)直下式發光二極體背光(B)側照式發光二極體背光(C)前照式發光二極體背光(D)後照式發光二極體背光。
- ⑵動能為 5 eV 的電子欲通過一厚 10Å，高 10 eV 的位能障壁（在障壁以外的區域位能為零），估計穿透機率。 （25 分）
內容推薦
- ⑵說明如何利用熱發光劑量計度量上述三種等效劑量。
- 半波長天線，其諧振之工作頻率為 100MHz 時其天線長度約為(A)3 公尺(B)100 公尺(C)5 公尺(D)5 公尺。
- 錄音機放音時正常，但錄音時聲音變小，可能之故障原因為(A)磁頭不潔(B)磁頭磨損(C)錄音偏壓電路故障(D)消音頭不良。
- 交流偏壓方式之錄音機，如偏壓振盪器發生不良時，下列說明何者為錯誤(A)錄音後之音量輸出變小(B)無法消音(C)錄音時會過度失真(D)錄音時不構成影響。
- ⑵計算填滿因子（Fill Factor）。（10 分）
- 錄音機會發生絞帶之情形，其故障原因，下列說明何者為錯誤(A)壓帶輪不潔(B)主驅動軸不潔(C)錄音帶捲取力30矩不足(D)消音頭磨損。
- 錄音機在錄音時，發生串音(CROSS TALK)其故障原因下列說明何者為錯誤(A)磁頭的位置不正確(B)磁頭的高度和導帶器的高度不平時(C)使用後張力過大的磁帶(D)錄音之振盪偏壓過低。
- 三、下表是四種元素的一些X-射線波長，且Kabsorb表示可打出K層光電子之最大光子波長：（25 分）⑴由Kα之波長估計在放出此X-射線時，鈷原子中躍遷電子所受到的有效核電荷。
- 最近社會大眾討論是否應將我國選舉權的年齡降至年滿十八歲。根據現行法規，如欲修改此項投票年齡門檻，必須透過何種程序始能達成？(A)可直接經由舉辦全國性公民投票決議通過(B)須經由中央選舉委員會決議之
- 使用乾粉滅火器，下列敘述何者正確？(A)先將滅火器之安全栓拉開(B)持滅火器者應由上風位置接近火源(C)火熄滅後以水冷卻餘燼(D)滅火劑噴向火焰之火舌。
- ⑵單逃逸峰與雙逃逸峰出現之能量為何？原因為何？
- 有關顯示器的發展趨勢，下列何者已逐漸不被採用？(A)CRT(B)LCD(冷陰極管背光源)(C)LCD(LED 背光源)(D)OLED。
- 有關 OLED 顯示器之特性，下列敘述何者正確？(A)低驅動電壓(B)製造簡單不可彎曲(C)發光效率高(D)可視角小。
- 下列火災何者不適合用二氧化碳滅火器？(A)傢具類(B)油漆類(C)電氣類(D)石油類 之火災。
- 四、請說明為什麼半導體在離子佈植後，熱處理需要使用比較高的溫度來進行？（5 分）
- (二)在接觸電 阻的量測技 術， 我們常 使用 一種 稱為傳 輸線 方法（ transmission line，請描述此方法如何量測接觸電阻。method） （10 分）
- 八、繪圖說明何謂等向性蝕刻（isotropic etching）、非等向性蝕刻（anisotropic etching）？以HF和HNO3混合溶液蝕刻Si是屬於那一種？（10 分）
- 七、一層厚度 100 nm 的矽薄膜，如果要用氧化的方式，將 Si 厚度減薄到 50 nm，請問需要成長多厚的氧化層？（10 分）
- 八、在量測半導體晶片或磊晶層的濃度，我們通常使用霍爾效應（Hall effect）及電容-電壓（C-V）方法。(一) 請說明這兩種量測方法的基本原理。（10 分）
- 六、請畫出Metali/SiO2/p-type Si在accumulation, depletion, inversion三種狀態的能帶圖。（15 分）
- 一、民國 97 年 8 月 1 日施行之入出國及移民法，請問其在民國 96 年 12 月修正之主要內容有那些？（15 分）
- 七、在製作元件的歐姆接觸（ohmic contact）技術中，我們通常在元件的表面層摻雜高濃度，再鍍上蕭特基（Schottky）金屬層，或者在元件表面層鍍上合金金屬層，接著進行熱處理而製作歐姆接觸。【
- 六、以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiO2 及 Si3N4，而以電漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiOx 及 SiNx，為什麼？（10 分
- 四、若某一輻射樣品之總計測時間為 6 分鐘，今測得射源加背景之計數率為 100 cps、背景計數率為 4 cps：（20 分）⑴為使計測誤差最小，則射源與背景計測時間應如何分配？
- 五、通常在離子佈植過程中，我們使用光阻來作為阻止離子佈植的區域；而在擴散過程中卻不使用光阻來作為阻止摻雜雜質擴散的區域。為什麼？（10 分）