二、討論 N 型 Si 基板與金屬的 Heterojunction 接面，因為製程上有什麼差異，因此而會形成肖基二極體（Schottky Barrier Diode）或歐姆接觸（Ohmic Conta

問題詳情

二、討論 N 型 Si 基板與金屬的 Heterojunction 接面，因為製程上有什麼差異，因此而會形成肖基二極體（Schottky Barrier Diode）或歐姆接觸（Ohmic Contact）兩種不同的元件行為。（20 分）

參考答案

答案：D
難度：簡單0.809045
統計：A(19),B(22),C(10),D(322),E(0) #
個人：尚未作答書單：杜威（Melvil Dewey）、克特（Charles A. Cutter）

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