問題詳情

四、請分別敘述半導體中兩種摻雜技術的特性及不同處。若要形成 MOS 元件的 Source /Drain應採何者較合宜?(20 分)

參考答案

答案:D
難度:適中0.625551
統計:A(7),B(18),C(101),D(284),E(0)

內容推薦

內容推薦