問題詳情

一、圖 1 所示電路,若電晶體操作在 ID = 0.4 mA,VD = +1V,NMOS 電晶體之臨限電壓(Threshold voltage)為 Vt = 2V,µnCOX = 20 µA/V2,COX 為氧化層電容。通道長度為 L = 10 µm,寬度為 w = 400 µm,若忽略通道長度調變效應(Channel lengthmodulation),試求出 VGS值以及 RD、RS 之電阻值。(15 分)

參考答案

答案:A
難度:適中0.600585
統計:A(2463),B(1622),C(8),D(8),E(0) #
個人:尚未作答書單:教育意義、社會化原則、教育=正式教育(正規教育+非正規教育)+非正式教育

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